Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

QPD1013EVB01

Name: Qorvo QPD1013EVB01
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1013EVB01
Price: 875 USD
Availability: OutOfStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

772-QPD1013EVB01

Số nhà sản xuất:

QPD1013EVB01

Nsx:

Qorvo

Mô tả:

RF Development Tools DC-2.7GHz 150W Eval Board

Bảng dữ liệu:

QPD1013EVB01 Bảng dữ liệu (PDF)

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Qorvo QPD1013EVB01

Sẵn có

Tồn kho:: 0

Bạn vẫn có thể mua sản phẩm này bằng đơn hàng dự trữ

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 14 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$875.00	$875.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Qorvo
Danh mục Sản phẩm:	Công cụ phát triển RF
RoHS:
Sản phẩm:	Evaluation Boards
Loại:	RF Transistor
Dụng cụ để đánh giá về:	QPD1013
Tần số:	1.2 GHz to 1.9 GHz
Nhãn hiệu:	Qorvo
Để sử dụng với:	QPD1013 GaN RF Transistor
Đóng gói:	Bulk
Loại sản phẩm:	RF Development Tools
Sê-ri:	QPD1013
Số lượng Kiện Gốc:	1
Danh mục phụ:	Development Tools
Mã Bí danh:	QPD1013
Đơn vị Khối lượng:	340.825 g

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

QPD1013EVB01 Bảng dữ liệu (PDF)

CNHTS:: 8542330000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
MXHTS:: 8542330201
ECCN:: EAR99

QPD1013 GaN RF Transistor Evaluation Board

Qorvo QPD1013 GaN RF Transistor Evaluation Board evaluates the QPD1013 GaN RF transistor. This evaluation board works in a frequency range of 1.2GHz to 1.9GHz. The QPD1013 GaN RF transistor is a high-power, wide-bandwidth High Electron Mobility Transistor (HEMT) which operates from DC to 2.7GHz.

GaN Transistor Solutions for Sub 6GHz 5G

Qorvo GaN Transistor Solutions for Sub-6GHz 5G are a broad portfolio of gallium nitride (GaN) discrete transistor products. The devices have varying levels of power, voltage, and frequency ratings in die-level and packaged solutions. Qorvo GaN Transistor Solutions for Sub-6GHz 5G provide high GaN performance plus the convenience of industry-standard packaging. This speeds design, manufacturing, and is backed by industry-leading reliability.