T1GA26xx-SM Low Noise Amplifiers

Qorvo TGA26xx-SM Low Noise Amplifiers are fabricated on a 0.25um GaN on SiC process (TQGaN25). Covering 2GHz to 6GHz, the TGA26xx-SM Amplifiers typically provides >22dB small signal gain and 30dBm of OTOI with 1.0dB NF. In addition to the high electrical performance, this GaN amplifier also provides a high level of input power robustness. Able to survive a high level of input power without performance degradation, Qorvo TGA26xx-SM provides flexibility regarding receive chain protection, resulting in reduced board space. This device is ideal for radar and satellite communication applications.

Kết quả: 2
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng Nsx Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn. Số lượng RoHS Mô hình ECAD Tần số vận hành Điện áp cấp vận hành Dòng cấp nguồn vận hành Độ khuếch đại Loại Kiểu gắn Đóng gói / Vỏ bọc Công nghệ P1dB - Điểm bắt đầu nén Nhiệt độ làm việc tối thiểu Nhiệt độ làm việc tối đa Sê-ri Đóng gói
Qorvo RF Amplifier 9-10GHz 20W GaN PAE>40% SSG >34dB
700Dự kiến 10/04/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

9 GHz to 10 GHz 20 V to 32 V 365 mA 34 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-22 GaN SiC - 40 C + 85 C TGA2624 Reel, Cut Tape
Qorvo RF Amplifier 9-10GHz 35W GaN PAE >42% SSG >30dB
N/A
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

9 GHz to 10 GHz 28 V 290 mA 32.7 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-22 GaN SiC 40 dBm - 40 C + 85 C TGA2622 Waffle