BGA5H1BN6E6327XTSA1

Infineon Technologies
726-BGA5H1BN6E6327XT
BGA5H1BN6E6327XTSA1

Nsx:

Mô tả:
RF Amplifier RF MMIC SUB 3 GHZ

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 6,368

Tồn kho:
6,368 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
20 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$0.59 $0.59
$0.503 $5.03
$0.475 $11.88
$0.434 $43.40
$0.41 $102.50
$0.391 $195.50
$0.351 $351.00
$0.301 $1,204.00
$0.271 $2,168.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 12000)
$0.271 $3,252.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Infineon
Danh mục Sản phẩm: Bộ khuếch đại RF
RoHS:  
2.3 GHz to 2.69 GHz
1.5 V to 3.6 V
8.5 mA
18 dB
0.7 dB
Low Noise Amplifiers
SMD/SMT
TSNP-6
SiGe
- 16 dBm
- 6 dBm
- 40 C
+ 85 C
Reel
Cut Tape
Nhãn hiệu: Infineon Technologies
Suy hao trở lại đầu vào: 10 dB
Cách ly dB: 36 dB
Số lượng kênh: 1 Channel
Pd - Tiêu tán nguồn: 60 mW
Loại sản phẩm: RF Amplifier
Số lượng Kiện Gốc: 12000
Danh mục phụ: Wireless & RF Integrated Circuits
Tần số kiểm tra: 2.5 GHz
Mã Bí danh: BGA 5H1BN6 E6327 SP001777994
Đơn vị Khối lượng: 0.830 mg
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8542339000
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
TARIC:
8542330000
MXHTS:
8542330201
ECCN:
EAR99

BGA5x1BN6 Low-noise Amplifiers

Infineon Technologies BGA5x1BN6 Amplifier product family includes +18dBm high-gain, low-noise amplifiers that cover the low (600-1000MHz) mid (1805-2200MHz), and high-band (2300-2690MHz) frequency ranges. Based on Infineon Technologies‘ B9HF Silicon Germanium technology, the BGA5x1BN6 Amplifiers operate from a 1.5V to 3.6V supply voltage and offer single-line two-state control.  The amplifiers provide excellent low-noise performance and competitive insertion-loss levels. Designers can easily enable BGA5x1BN6's off-state mode by powering down the VCC. Available in an ultra-small leadless package measuring only 0.7 x 1.1mm2, the BGA5x1BN6 Amplifiers are ideal for smartphones running on the LTE or GSM network.

Low Noise Amplifier (LNA) ICs

Infineon Technologies Low Noise Amplifier (LNA) ICs boost data rates and reception quality of wireless applications by utilizing a very low-power signal without significant signal-to-noise ratio degradation. The improved receiver sensitivity enhances user experiences and satisfies market requirements. These highly integrated, small-packaged devices come with ESD protection and low power consumption, which is ideal for battery-operated mobile devices. Users of 4G/5G, GPS, Mobile TV, Wi-Fi, and FM portable devices will enjoy high data-rate reception, fast/precise navigation, and smooth, high-quality streaming even in the worst reception conditions.