NVH4L050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NVH4L050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs deliver exceptional performance with a typical RDS(on) of 53mΩ at VGS = 20V. onsemi NVH4L050N170M1 MOSFETs are optimized for a 20V gate drive. The devices also function effectively with an 18V gate drive, featuring a negative gate voltage drive and reduced turn-off spikes. These devices offer ultra-low total gate charge (105nC), high-speed switching with low capacitance (Coss = 98pF), and 100% avalanche testing for reliability.

Không Tìm thấy Kết quả.
Thử sửa cụm tìm kiếm bên dưới hoặc truy cập Trung tâm trợ giúp của chúng tôi.
Đề xuất tìm kiếm
  • Kiểm tra chính tả mã phụ tùng và từ khóa
  • Sử ít từ khóa hoặc từ khóa khác
  • Tìm 1 mã Phụ tùng một lúc
  • Sử dụng 1 bộ lọc một lúc
Sản phẩm & nhà sản xuất
Các câu hỏi bổ sung?