QPC1006

Qorvo
772-QPC1006
QPC1006

Nsx:

Mô tả:
RF Switch ICs 50W, 0.15-2.8GHz GaN SP3T

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Sẵn có

Tồn kho:
Không Lưu kho
Thời gian sản xuất của nhà máy:
24 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.
Tối thiểu: 100   Nhiều: 100
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 100)
$79.37 $7,937.00
200 Báo giá

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Qorvo
Danh mục Sản phẩm: IC công tắc RF
RoHS:  
SP3T
150 MHz
2.8 GHz
0.3 dB to 1 dB
30 dB
+ 275 C
SMD/SMT
QFN-24
GaN
QPC1006
Reel
Nhãn hiệu: Qorvo
Bộ công cụ phát triển: QPC1006EVB
Điện áp điều khiển ở mức cao: - 50 V
Nhạy với độ ẩm: Yes
Số lượng bộ chuyển mạch: Single
Dòng cấp nguồn vận hành: 3 mA
Pd - Tiêu tán nguồn: 14 W
Loại sản phẩm: RF Switch ICs
Số lượng Kiện Gốc: 100
Danh mục phụ: Wireless & RF Integrated Circuits
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8542399000
USHTS:
9030820000
ECCN:
5A991.g

QPC1006 Single-Pole, Triple–Throw (SP3T) Switch

Qorvo QPC1006 Single-Pole, Triple–Throw (SP3T) Switch is fabricated on Qorvo’s QGaN25 0.25um GaN on SiC production process. Operating from 0.15 to 2.8GHz, the QPC1006 typically supports 50W input power handling at control voltages of 0/−40V for CW and pulsed RF operations. This switch maintains a low insertion loss of less than 1.0dB and greater than 30dB isolation, making it ideal for high-power switching applications across defense and commercial platforms. The Qorvo QPC1006 is offered in a 4mm x 4mm plastic overmolded QFN package.

GaN Solutions

Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.

GaN Switches

Qorvo Gallium Nitride (GaN) Switches are suited for RF Switching applications and feature high breakdown voltages combined with the low on-resistance and off-state capacitance. This enables a dramatic increases in power handling. GaAs FET switches are widely used in the RF industry, and typically used for power levels on the order of a few watts or less. GaN FETs are able to use the same circuit architectures to handle power levels on the order of tens of watts.