1EDB7275FXUMA1

Infineon Technologies
726-1EDB7275FXUMA1
1EDB7275FXUMA1

Nsx:

Mô tả:
Gate Drivers ISOLATED DRIVER

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 6,592

Tồn kho:
6,592
Có thể Giao hàng Ngay
Đang đặt hàng:
5,000
Dự kiến 02/07/2026
Thời gian sản xuất của nhà máy:
39
Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 2500)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™
$1.79 $1.79
$1.31 $13.10
$1.19 $29.75
$1.06 $106.00
$0.991 $247.75
$0.794 $397.00
$0.74 $740.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 2500)
$0.714 $1,785.00
$0.705 $5,287.50
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™.

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Infineon
Danh mục Sản phẩm: Bộ điều hợp cổng
RoHS:  
Isolated Gate Drivers
SMD/SMT
1 Driver
1 Output
9.8 A
3 V
15 V
8.3 ns
5 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Nhãn hiệu: Infineon Technologies
Nhạy với độ ẩm: Yes
Loại sản phẩm: Gate Drivers
Số lượng Kiện Gốc: 2500
Danh mục phụ: PMIC - Power Management ICs
Thương hiệu: EiceDRIVER
Mã Bí danh: 1EDB7275F SP005351350
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542310030
ECCN:
EAR99

EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate Driver ICs are designed for MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs devices. EiceDRIVER™ gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A. These devices have robust gate drive protection features such as fast short-circuit protection (DESAT), active Miller clamp, shoot-through protection, fault, shutdown, and over current protection. These features make these driver ICs well-suited for both silicon and wide-bandgap power devices, including CoolGaN™, and CoolSiC™. That’s why Infineon offers more than 500 EiceDRIVER™ gate driver IC solutions suitable for any power switch, and any application.

EiceDRIVER™ Isolated & Non-Isolated Gate Drivers

Infineon EiceDRIVER™ Isolated and Non-Isolated Gate Drivers provide optimized low- and high-voltage gate driver solutions for MOSFETs, IGBTs, and IGBT modules. These isolated and non-isolated gate driver ICs are designed to build reliable and efficient applications. An optimum gate drive configuration is essential for all power switches, whether they are in discrete form or in a power module. Infineon gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A, suitable for any power device size.

Experience the Difference in Power

Infineon is the leader in the power semiconductor market. With more than 20 years of experience and as the innovator of the revolutionary CoolMOS™ super junction MOSFET technology, Infineon continues pioneering in the power management field. Customers can select based on individual design/system requirements from the industry's broadest silicon-based SJ MOSFET portfolio. As one of the few manufacturers mastering all three main power technologies, Infineon complements this assortment with a groundbreaking wide bandgap (WBG) offering. This offering comprises silicon-carbide-based CoolSiC™ MOSFETs, matching diodes, and gallium-nitride-based CoolGaN™ e-mode HEMTs. Solutions are available, ranging from exceptional price performance through unrivaled robustness to best-in-class devices. This enables customers to build more efficient, environmentally friendly, sustainable applications.

HEMT gallium nitride CoolGaN™

HEMT gallium nitride CoolGaN™ của Infineon có ưu điểm lớn về hiệu suất, độ tin cậy, mật độ nguồn và chất lượng. Bán dẫn CoolGaN được thiết kế với công nghệ tin cậy nhất, đem lại hiệu suất và mật độ nguồn cao nhất cho nguồn cấp chế độ chuyển mạch. Thiết bị hoạt động tương tự với MOSFET silicon thông thường với phân cực điều khiển cổng chế độ tăng cường bằng cấu trúc cổng p-GaN.