VSLB4940

Vishay Semiconductors
78-VSLB4940
VSLB4940

Nsx:

Mô tả:
Infrared Emitters 940nm, T-1 65mW/sr, +/-22deg.

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 8,233

Tồn kho:
8,233 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
8 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$0.59 $0.59
$0.41 $4.10
$0.297 $29.70
$0.246 $123.00
$0.215 $215.00
$0.21 $1,050.00
$0.183 $1,830.00
$0.176 $4,400.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Vishay
Danh mục Sản phẩm: Bộ phát hồng ngoại
RoHS:  
Through Hole
940 nm
65 mW/sr
22 deg
100 mA
1.42 V
160 mW
- 25 C
+ 85 C
T-1 (3 mm)
Nhãn hiệu: Vishay Semiconductors
Thời gian giảm: 15 ns
Màu chiếu sáng: Infrared
Loại sản phẩm: IR Emitters (IR LEDs)
Thời gian tăng: 15 ns
Sê-ri: VSL
Số lượng Kiện Gốc: 5000
Danh mục phụ: Infrared Data Communications
Đơn vị Khối lượng: 233.750 mg
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8541410090
USHTS:
8541410000
TARIC:
8541410000
MXHTS:
85415001
BRHTS:
85415020
ECCN:
EAR99

VSLB4940 High-Speed Infrared Emitting Diode

Vishay Semiconductors VSLB4940 High-Speed Infrared Emitting Diode is suitable for high pulse current operation. The VSLB4940 diode offers 940nm peak wavelength, 65mW/sr radiant intensity, ±22° beam angle, 1.42V typical forward voltage, and 15ns fall time. This infrared diode is available in GaAlAs, Multi-quantum Well (MQW) technology, and is molded in a clear plastic package. The VSLB4940 infrared diode comes in a leaded type T-1 package and ∅3mm dimensions. This infrared diode is suitable for applications like infrared remote control units, reflective sensors, and light barriers.