TGA2237 Wideband Distributed Amplifier

Qorvo TGA2237 Wideband Distributed Amplifier is fabricated on the Qorvo production 0.25um Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) process. The TGA2237 operates from 0.03GHz to 2.5GHz and provides 10W of saturated output power with 13dB of large signal gain and greater than 50.% power-added efficiency. The broadband performance supports both radar and communication applications across defense and commercial markets as well as electronic warfare. The TGA2237 amplifier is fully matched to 50Ω at both RF ports allowing for simple system integration. DC blocks are required on both RF ports and the drain voltage must be injected through an off chip bias-tee on the RF output port.

Kết quả: 2
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng Nsx Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn. Số lượng RoHS Mô hình ECAD Tần số vận hành Điện áp cấp vận hành Dòng cấp nguồn vận hành Độ khuếch đại Loại Kiểu gắn Đóng gói / Vỏ bọc Công nghệ P1dB - Điểm bắt đầu nén Nhiệt độ làm việc tối thiểu Nhiệt độ làm việc tối đa Sê-ri Đóng gói
Qorvo RF Amplifier .03-2.5GHz 10W GaN Sm Sig. Gain 19dB Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 20 Tuần
Tối thiểu: 25
Nhiều: 25

2.5 GHz 30 V 360 mA 19 dB Power Amplifiers SMD/SMT Die GaN 32 dBm TGA2237 Gel Pack
Qorvo RF Amplifier 30-2500MHz 10W GaN PAE > 50% Gain 19dB Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 16 Tuần
Tối thiểu: 25
Nhiều: 25

30 MHz to 2.5 GHz 32 V 360 mA 19 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-32 GaN SiC 33 dBm - 40 C + 85 C TGA2237 Waffle