QPD1016LEVB01

Qorvo
772-QPD1016LEVB01
QPD1016LEVB01

Nsx:

Mô tả:
RF Development Tools DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr

Bảng dữ liệu:
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về Qorvo QPD1016LEVB01

Có hàng: 1

Tồn kho:
1
Có thể Giao hàng Ngay
Đang đặt hàng:
1
Dự kiến 19/02/2026
Thời gian sản xuất của nhà máy:
16
Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$1,643.87 $1,643.87

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Qorvo
Danh mục Sản phẩm: Công cụ phát triển RF
RoHS:  
Evaluation Boards
RF Transceiver
QPD1016L
Nhãn hiệu: Qorvo
Đóng gói: Bag
Loại sản phẩm: RF Development Tools
Sê-ri: QPD1016L
Số lượng Kiện Gốc: 1
Danh mục phụ: Development Tools
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

USHTS:
9030820000
ECCN:
EAR99

QPD1016LEVB01 Evaluation Board

Qorvo QPD1016LEVB01 Evaluation Board is a demonstration and development platform for the QPD1016L GaN RF Transistor. The QPD1016L is a 500W (P3dB) pre-matched discrete Gallium Nitride on Silicon Carbide High-Electron Mobility Transistor (GaN on SiC HEMT) operating from DC to 1.7GHz. The QPD1016L provides a linear gain of 18dB at 1.3GHz and features a drain efficiency of 67% at 3dB compression. The device can support pulsed and linear operations.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.