Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

IS66WVH8M8BLL-100B1LI

Name: ISSI IS66WVH8M8BLL-100B1LI
Brand: ISSI
SKU: 870-WVH8M8BLL100B1LI
Price: 5.72 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

870-WVH8M8BLL100B1LI

Số nhà sản xuất:

IS66WVH8M8BLL-100B1LI

Nsx:

ISSI

Mô tả:

DRAM 64Mb 8Mbx8 3.0V 100MHz HyperRAM

Bảng dữ liệu:

IS66WVH8M8BLL-100B1LI Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về ISSI IS66WVH8M8BLL-100B1LI

Có hàng: 781

Tồn kho:: 781

Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Đang đặt hàng:: 480

Dự kiến 17/04/2026
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 14

Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1 Tối đa: 423

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$5.72	$5.72
	$5.33	$53.30
	$5.17	$129.25
	$5.15	$257.50
	$5.03	$503.00
	$4.82	$1,205.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	ISSI
Danh mục Sản phẩm:	DRAM
RoHS:
Loại:	HyperRAM
Kích thước bộ nhớ:	64 Mbit
Độ rộng bus dữ liệu:	8 bit
Tần số đồng hồ tối đa:	100 MHz
Đóng gói / Vỏ bọc:	TFGBA-24
Tổ chức:	8 M x 8
Thời gian truy cập:	40 ns
Điện áp cấp nguồn - Tối thiểu:	2.7 V
Điện áp cấp nguồn - Tối đa:	3.6 V
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 85 C
Sê-ri:	IS66WVH8M8BLL
Nhãn hiệu:	ISSI
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	TW
Nhạy với độ ẩm:	Yes
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Loại sản phẩm:	DRAM
Số lượng Kiện Gốc:	480
Danh mục phụ:	Memory & Data Storage
Dòng cấp nguồn - Tối đa:	35 mA
Thương hiệu:	HyperRAM
Đơn vị Khối lượng:	84 mg

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

IS66WVH8M8BLL-100B1LI Bảng dữ liệu (PDF)

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
JPHTS:: 854232029
KRHTS:: 8542321020
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

HYPERRAM™ Self-refresh DRAM

ISSI HYPERRAM™ Self-Refresh DRAMs are high-speed CMOS with a HYPERBUS™ interface. The HYPERBUS is a low signal count, Double Data Rate (DDR) interface that allows high-speed read and write throughput. These devices are available in KGD/KTD and 24-pin BGA packages with 32Mb, 64Mb, 128Mb, and 256Mb densities. Other features include hidden refresh operation and low power consumption. These memory devices are ideal for mobile and automotive applications.