SDRAM DDR

SDRAM DDR của Micron là công nghệ mang tính cách mạng và tiên phong cho phép ứng dụng truyền dữ liệu trên các biên tăng và giảm của tín hiệu xung nhịp. Khả năng này giúp tăng gấp đôi băng thông và cải thiện hiệu suất qua SDRAM SDR. Để đạt được chức năng này, Micron sử dụng kiến trúc 2n-prefetch trong đó bus dữ liệu nội bộ có kích thước gấp đôi bus dữ liệu ngoài, do đó việc thu thập dữ liệu có thể xảy ra hai lần mỗi chu kỳ xung nhịp.

Kết quả: 6
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng Nsx Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn. Số lượng RoHS Mô hình ECAD Loại Kích thước bộ nhớ Độ rộng bus dữ liệu Tần số đồng hồ tối đa Đóng gói / Vỏ bọc Tổ chức Thời gian truy cập Điện áp cấp nguồn - Tối thiểu Điện áp cấp nguồn - Tối đa Nhiệt độ làm việc tối thiểu Nhiệt độ làm việc tối đa Sê-ri Đóng gói
Micron DRAM DDR 512Mbit 16 60/108 FBGA 1 IT 4,982Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Tối đa: 4,104

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-60 32 M x 16 700 ps 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C MT46V Tray
Micron DRAM DDR 512Mbit 16 66/66TSOP 1 IT 7,032Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Tối đa: 6,480

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-66 32 M x 16 700 ps 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C MT46V Tray
Micron DRAM DDR 512Mbit 16 66/66TSOP 1 CT 5,925Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Tối đa: 5,400

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-66 32 M x 16 700 ps 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C MT46V Tray
Micron DRAM DDR 512M 32MX16 TSOP 532Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Tối đa: 532
Rulo cuốn: 2,000

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-66 32 M x 16 700 ps 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C MT46V Reel, Cut Tape, MouseReel
Micron DRAM DDR 512Mbit 8 66/66TSOP 1 CT 720Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Tối đa: 720

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-66 64 M x 8 700 ps 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C MT46V Tray
Micron DRAM DDR 256M 16MX16 FBGA 6Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Tối đa: 6
Rulo cuốn: 1,000

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-60 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C MT46V Reel, Cut Tape, MouseReel