R1RW0416DGE-2PR#B1

Renesas Electronics
968-R1RW0416DGE2PRB1
R1RW0416DGE-2PR#B1

Nsx:

Mô tả:
SRAM SRAM 4MB FAST X16 3V SOJ 12NS 0TO70C

Tuổi thọ:
Hết hạn sử dụng:
Nhà sản xuất đã lên kế hoạch ngừng và sẽ không sản xuất nữa.
Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về Renesas Electronics R1RW0416DGE-2PR#B1

Sẵn có

Tồn kho:
Không Lưu kho
Thời gian sản xuất của nhà máy:
12 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$11.71 $11.71

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Renesas Electronics
Danh mục Sản phẩm: SRAM
RoHS:  
4 Mbit
256 k x 16
12 ns
3.6 V
3 V
130 mA
0 C
+ 70 C
SMD/SMT
SOJ-44
Tray
Nhãn hiệu: Renesas Electronics
Loại bộ nhớ: SRAM
Loại sản phẩm: SRAM
Số lượng Kiện Gốc: 18
Danh mục phụ: Memory & Data Storage
Loại: High Speed
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

EOL

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

USHTS:
8542320041
TARIC:
8542324500
ECCN:
EAR99

Asynchronous SRAMs

Renesas Electronics Asynchronous SRAMs are based on high-performance, high-reliability CMOS technology. The technology and innovative circuit design techniques provide a cost-effective solution for high-speed async SRAM memory needs. Fully static asynchronous circuitry requires no clocks or refresh for operation. Renesas delivers asynchronous SRAM in RoHS 6/6-compliant (Green) packaging using industry-standard package options.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.