AS3008316-035nX0PTBY

Name: Avalanche Technology AS3008316-035nX0PTBY
Brand: Avalanche Technology
SKU: 793-38316035NX0PTBY
Price: 31.77 USD
Availability: OutOfStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

793-38316035NX0PTBY

Số nhà sản xuất:

AS3008316-035nX0PTBY

Nsx:

Avalanche Technology

Mô tả:

MRAM Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 8Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C

Bảng dữ liệu:

AS3008316-035nX0PTBY Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Avalanche Technology AS3008316-035nX0PTBY

Sẵn có

Tồn kho:: Không Lưu kho

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: Yêu cầu Báo giá Giao hàng

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1056 Nhiều: 96

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$31.77	$33,549.12
2,592	Báo giá

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Avalanche Technology
Danh mục Sản phẩm:	Bộ nhớ RAM từ điện trở (MRAM)
RoHS:
Đóng gói / Vỏ bọc:	TSOP-54
Loại giao diện:	Parallel
Kích thước bộ nhớ:	8 Mbit
Tổ chức:	512 k x 16
Độ rộng bus dữ liệu:	16 bit
Thời gian truy cập:	35 ns
Điện áp cấp nguồn - Tối thiểu:	2.7 V
Điện áp cấp nguồn - Tối đa:	3.6 V
Dòng cấp nguồn vận hành:	12 mA
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 105 C
Sê-ri:	AS3008316
Đóng gói:	Tray
Nhãn hiệu:	Avalanche Technology
Nhạy với độ ẩm:	Yes
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Loại sản phẩm:	MRAM
Số lượng Kiện Gốc:	96
Thương hiệu:	STT-MRAM, MRAM

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

AS3008316-035nX0PTBY Bảng dữ liệu (PDF)

USHTS:: 8542320071
ECCN:: EAR99

Parallel P-SRAM Memory

Avalanche Technology Parallel Persistent SRAM Memory are Magneto-Resistive Random-Access Memory (MRAM) that offers a density range from 1Mbit to 32Mbit. The P-SRAM memory operates from 2.7V to 3.6V voltage range. The P-SRAM memory devices are available in small footprint 54-pin TSOP, 44-pin TSOP, and 48-Ball FBGA packages. These packages are compatible with similar low-power volatile and non-volatile products. The parallel persistent SRAM memory devices are offered with -40°C to 85°C industrial and -40°C to 105°C industrial plus operating temperature ranges.