Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

Kết quả: 12
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Loại
Kích thước bộ nhớ
Độ rộng bus dữ liệu
Tần số đồng hồ tối đa
Đóng gói / Vỏ bọc
Tổ chức
Thời gian truy cập
Điện áp cấp nguồn - Tối thiểu
Điện áp cấp nguồn - Tối đa
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 419Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SDRAM 64 Mbit 200 MHz TFBGA-24 2.7 V 3.6 V
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Bảng dữ liệu
121Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 1.65 V 1.95 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Bảng dữ liệu
86Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 32 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 4 M x 8 7 ns 1.65 V 1.95 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Bảng dữ liệu
885Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Bảng dữ liệu
942Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 450Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SDRAM 64 Mbit 200 MHz TFBGA-24 1.65 V 1.95 V
ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Bảng dữ liệu
1,887Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 166 MHz TFBGA-24 8 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Bảng dữ liệu
683Có hàng
400Dự kiến 10/06/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Bảng dữ liệu
165Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 32 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 4 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Bảng dữ liệu
306Có hàng
480Dự kiến 17/09/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 166 MHz TFBGA-24 8 M x 8 36 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Bảng dữ liệu
138Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 1.65 V 1.95 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, SPI and QPI Protocol, 3V, 104MHz, SOIC-8
Bảng dữ liệu
171Có hàng
500Dự kiến 22/06/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C