SemiQ Featured Products
Thiết bị MOSFET rời rạc SiC GEN3 1200 V
Developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.
Mô-đun nguồn MOSFET SiC GEN3 1200 V
With an isolated backplate, based on third-generation SiC technology, and tested at over 1400V.
Đi-ốt SCHOTTKY SiC 1.700 V GP3D050B170B Qsi™
Nằm trong gói TO-247-2L được thiết kế để đáp ứng nhu cầu về kích thước và công suất trong nhiều ứng dụng.
Mô-đun nửa cầu MOSFET SiC GMX 1.200 V
Suy hao chuyển mạch thấp, khả năng chịu nhiệt chuyển tiếp đến từng trường hợp thấp và gắn rất chắc chắn và dễ dàng.
Mô-đun toàn cầu MOSFET SiC GMX 1.200 V
Phù hợp với bộ biến tần quang điện, hệ thống lưu trữ năng lượng và bộ chuyển đổi DC sang DC điện áp cao.
GP2T020A120H 1200V SiC MOSFET
Offers reduced switching losses, higher efficiency, and increased power density.
GCMX040B120S1-E1 1200V SiC MOSFET Power Module
The module is simple to drive, very rugged, & easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs.
GCMS040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module
The module is simple to drive, very rugged, & easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs.