Quay lại SemiQ

SemiQ GCMX 1200V SiC MOSFET Full-Bridge Modules

SemiQ GCMX 1200V SiC MOSFET Full-Bridge Modules offer low switching losses, low junction-to-case thermal resistance, and very rugged and easy mounting. These modules directly mount the heatsink (isolated package) and include a Kelvin reference for stable operation. All parts have been rigorously tested to withstand voltages above 1350V. The hallmark characteristic of these modules is the robust 1200V drain-source voltage. The GCMX full-bridge modules operate at a 175°C junction temperature and are RoHS-compliant. Typical applications include photovoltaic inverters, battery chargers, energy storage systems, and high-voltage DC-to-DC converters.

Features

  • High-speed switching SiC MOSFETs
  • Reliable body diode
  • All parts tested to above 1350V
  • Direct mounting to the heatsink (isolated package)
  • 175°C junction temperature
  • Kelvin reference for stable operation
  • Low switching losses
  • Low junction to case thermal resistance
  • Very rugged and easy mounting
  • RoHS-compliant

Applications

  • Photovoltaic inverter
  • Battery charger
  • Energy storage system
  • High voltage DC-to-DC converter

Related Products

SemiQ Mô-đun nửa cầu MOSFET SiC GMX 1.200 V

Suy hao chuyển mạch thấp, khả năng chịu nhiệt chuyển tiếp đến từng trường hợp thấp và gắn rất chắc chắn và dễ dàng.

Learn MoreGiới thiệu về SemiQ Mô-đun nửa cầu MOSFET SiC GMX 1.200 V View Productsliên quan đến SemiQ Mô-đun nửa cầu MOSFET SiC GMX 1.200 V

SemiQ SiC MOSFET Power Modules

Provides low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance.

Learn MoreGiới thiệu về SemiQ SiC MOSFET Power Modules View Productsliên quan đến SemiQ SiC MOSFET Power Modules
View Results ( 9 ) Page
Mã Phụ tùng Bảng dữ liệu Cực tính transistor Thời gian giảm Id - Dòng cực máng liên tục Pd - Tiêu tán nguồn Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn Thời gian tăng Thời gian trễ khi tắt điển hình Thời gian trễ khi bật điển hình Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn
GCMX040A120B3H1P GCMX040A120B3H1P Bảng dữ liệu N-Channel 12 ns 53 A 208 W 38 mOhms 6 ns 25 ns 16 ns 1.2 kV 1.8 V
GCMX080A120B2H1P GCMX080A120B2H1P Bảng dữ liệu N-Channel 4 ns 27 A 119 W 77 mOhms 3 ns 18 ns 10 ns 1.2 kV 1.8 V
GCMX010A120B3H1P GCMX010A120B3H1P Bảng dữ liệu N-Channel 15 ns 201 A 600 W 8.9 mOhms 9 ns 50 ns 32 ns 1.2 kV 4 V
GCMX020A120B2H1P GCMX020A120B2H1P Bảng dữ liệu N-Channel 16 ns 102 A 333 W 18 mOhms 6 ns 44 ns 23 ns 1.2 kV 1.8 V
GCMX020A120B2H2P GCMX020A120B2H2P Bảng dữ liệu N-Channel 16 ns 102 A 333 W 28 mOhms 8 ns 48 ns 25 ns 1.2 kV 4 V
GCMX020A120B3H1P GCMX020A120B3H1P Bảng dữ liệu N-Channel 18 ns 93 A 300 W 18.1 mOhms 10 ns 46 ns 26 ns 1.2 kV 1.8 V
GCMX040A120B2H1P GCMX040A120B2H1P Bảng dữ liệu N-Channel 13 ns 56 A 217 W 38 mOhms 5 ns 26 ns 16 ns 1.2 kV 1.8 V
GCMX040A120B2H2P GCMX040A120B2H2P Bảng dữ liệu N-Channel 11 ns 56 A 217 W 52 mOhms 7 ns 29 ns 16 ns 1.2 kV 4 V
GCMX080A120B2H2P GCMX080A120B2H2P Bảng dữ liệu N-Channel 12 ns 27 A 119 W 100 mOhms 5 ns 22 ns 11 ns 1.2 kV 4 V
Đã phát hành: 2024-03-01 | Đã cập nhật: 2025-05-27