FF900R12ME7PB11BPSA1

Infineon Technologies
726-FF900R12ME7PB11B
FF900R12ME7PB11BPSA1

Nsx:

Mô tả:
IGBT Modules 1200 V, 900 A dual IGBT module

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 10

Tồn kho:
10 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
14 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$260.52 $260.52
$222.04 $2,664.48
102 Báo giá

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Infineon
Danh mục Sản phẩm: Mô-đun IGBT
IGBT Silicon Modules
Dual
1.2 kV
1.5 V
900 A
100 nA
- 40 C
+ 175 C
Tray
Nhãn hiệu: Infineon Technologies
Loại sản phẩm: IGBT Modules
Sê-ri: Trenchstop IGBT7
Số lượng Kiện Gốc: 6
Danh mục phụ: IGBTs
Công nghệ: Si
Thương hiệu: TRENCHSTOP ~ EconoDUAL
Mã Bí danh: FF900R12ME7P_B11 SP005349909
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8504409100
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

TRENCHSTOP™ IGBT7 Discretes & Modules

Infineon Technologies TRENCHSTOP™ IGBT7 Discretes and Modules are designed for variable-speed drives. If only half of all industrial drives had electric speed control, 20% of energy or 17 million tons of CO2 could be saved. Infineon facilitates this switch with the TRENCHSTOP IGBT7 technology.

Mô-đun IGBT EasyPIM™

Mô-đun EasyPIM™ IGBT Infineon Technologies là mô-đun PIM IGBT bộ chỉnh lưu đầu vào 3 pha với bộ phát kiểm soát 7 đi-ốt TRENCHSTOP™ IGBT7 và NTC. Mô-đun này cung cấp khả năng kiểm soát tăng cường của dv/dt, độ mềm dẻo FWD được cải thiện, thất thoát chuyển mạch tối ưu và chống đoản mạch 8µs. EasyPIM (Mô-đun tích hợp nguồn) có kích thước rất nhỏ giúp đạt mật độ nguồn cao hơn. Mô đun này làm giảm thất thoát và giá thành hệ thống nhằm đáp ứng các yêu cầu về hiệu quả năng lượng. Ứng dụng điển hình bao gồm biến tần phụ trợ, điều hòa, mô-tơ servo và Hệ thống sưởi, thông gió và điều hòa không khí (HVAC).

1200V Dual IGBT Modules

Infineon 1200V, Dual IGBT Modules, are EconoDUAL™ 3 1200V, 900A dual TRENCHSTOP™ IGBT7 Modules with emitter-controlled 7 diodes, NTC, and PressFIT contact technology. The IGBT Modules offer a higher inverter output current for the same frame size and avoidance of paralleling. The Infineon 1200V, Dual IGBT Modules, provide an easy and reliable assembly with high inter-connection reliability.

EconoDUAL™ 3 IGBT Modules

Infineon Technologies EconoDUAL™ 3 IGBT Modules are a solution for many applications requiring reliable, cost-effective power electronics. The Infineon Technologies EconoDUAL 3 can support currents ranging from 100A to 900A at various voltages, including 600V, 650V, 1200V, and 1700V. The device is equipped with state-of-the-art IGBT7 or IGBT4 technologies. The modules offer exceptional power density and cycling capability, and the symmetrical design allows for optimized current sharing between IGBT half bridges. This feature makes them ideal for parallel operation. EconoDUAL 3 is a versatile and efficient option for electric vehicles, renewable energy, or general-purpose drives.

IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules

Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules are based on micro-pattern trench technology that reduces losses and offers high controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas in contrast to square trench cells. A specially optimized chip for industrial drive applications and solar energy systems provides low static losses, high power density, and soft switching. With a +175°C maximum operating temperature, the modules allow a significant increase in power density.