ALD110900PAL

Name: Advanced Linear Devices ALD110900PAL
Brand: Advanced Linear Devices
SKU: 585-ALD110900PAL
Price: 8.54 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

585-ALD110900PAL

Số nhà sản xuất:

ALD110900PAL

Nsx:

Advanced Linear Devices

Mô tả:

MOSFETs Dual EPAD(R) N-Ch

Bảng dữ liệu:

ALD110900PAL Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 45

Tồn kho:: 45 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 3 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$8.54	$8.54
	$4.86	$48.60
	$3.92	$392.00
	$3.64	$1,820.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Advanced Linear Devices
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	Through Hole
Đóng gói / Vỏ bọc:	PDIP-8
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	2 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	10 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	12 mA
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	500 Ohms, 500 Ohms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	20 mV
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	0 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 70 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	500 mW
Chế độ kênh:	Depletion
Đóng gói:	Tube
Nhãn hiệu:	Advanced Linear Devices
Cấu hình:	Dual
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	PH
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Sê-ri:	ALD110900P
Số lượng Kiện Gốc:	50
Danh mục phụ:	Transistors
Loại transistor:	2 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	10 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	10 ns
Đơn vị Khối lượng:	1 g