SA111PQA

Apex Microtechnology
137-SA111PQA
SA111PQA

Nsx:

Mô tả:
Intelligent Power Modules - IPMs 650 V, 32 A Silicon Carbide Intelligent Power Module Half-Bridge

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 12

Tồn kho:
12 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
10 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$199.14 $199.14
$169.73 $1,697.30
100 Báo giá

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Apex Microtechnology
Danh mục Sản phẩm: Mô-đun nguồn thông minh — IPM
RoHS:  
Nhãn hiệu: Apex Microtechnology
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa: 650 V
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát: 650 V
Dòng cực góp liên tục ở 25°C: 32 A
Nhiệt độ làm việc tối đa: + 125 C
Nhiệt độ làm việc tối thiểu: - 40 C
Nhạy với độ ẩm: Yes
Kiểu gắn: SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc: QFP-52
Pd - Tiêu tán nguồn: 56 W
Loại sản phẩm: Intelligent Power Modules - IPMs
Sê-ri: SA111
Số lượng Kiện Gốc: 1
Danh mục phụ: Discrete and Power Modules
Công nghệ: SiC
Loại: Half-Bridge
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

Mô-đun nguồn nửa cầu Silicon Carbide SA111PQ

Apex Microtechnology SA111PQ Silicon Carbide Half-Bridge Power Module is created with Silicon Carbide (SiC) technology. The module features a leading-edge package design to expand thermal efficiency and power density in analog modules. The SA111PQ is housed in a surface-mount package with a body of 20mm x 20mm. It can provide continuous output currents of 32A, manage supply voltages of up to 650V, and achieve switching frequencies of up to 1MHz.

Silicon Carbide (SiC) Integrated Power Modules

Apex Microtechnology Silicon Carbide (SiC) Integrated Power Modules are integrated with a digitally controlled gate drive and feature under-voltage lock-out and active Miller clamping. These power modules operate at up to 650V maximum supply voltage and -55°C to 125°C storage temperature range. The silicon carbide integrated power modules are suitable for DC/AC converters, DC/DC converters, and motor drives.