Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

CE3512K2

Name: CEL CE3512K2
Brand: CEL
SKU: 551-CE3512K2
Price: 2.16 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

551-CE3512K2

Số nhà sản xuất:

CE3512K2

Nsx:

CEL

Mô tả:

RF JFET Transistors 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C

Bảng dữ liệu:

CE3512K2 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về CEL CE3512K2

Có hàng: 812

Tồn kho:: 812 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 2 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$2.16	$2.16
	$1.45	$14.50
	$1.19	$119.00
	$1.03	$515.00
	$1.00	$5,000.00
	$0.976	$9,760.00

Bao bì thay thế

Nsx Mã Phụ tùng:

CE3512K2-C1

Đóng gói:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Sẵn có:

Có hàng

Giá:

$1.67

Tối thiểu:

Sản phẩm Tương tự

Nsx:

CEL

Số nhà sản xuất:

CE3512K2-C1

Mô tả:

RF JFET Transistors 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C

So sánh với Phần Hiện tại

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	CEL
Danh mục Sản phẩm:	Transistor JFET RF
RoHS:
Loại transistor:	pHEMT
Công nghệ:	GaAs
Tần số vận hành:	12 GHz
Độ khuếch đại:	13.7 dB
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	4 V
Vgs - Điện áp đánh thủng cực cổng-cực nguồn:	- 3 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	10 mA
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 125 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	125 mW
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	MICRO-X-4
Đóng gói:	Bulk
Nhãn hiệu:	CEL
Cấu hình:	Single
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu:	54 mS
Điện áp ngắt cổng-nguồn:	- 750 mV
NF - Hệ số nhiễu:	0.3 dB
Loại sản phẩm:	RF JFET Transistors
Số lượng Kiện Gốc:	1
Danh mục phụ:	Transistors
Đơn vị Khối lượng:	16.473 mg

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

CE3512K2 Bảng dữ liệu (PDF)

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Low Noise FETs & ICs

CEL Low Noise FETs and ICs exhibit low noise figures and high associated gains, delivering exceptional noise figure performance at frequencies past 20GHz. These products are available in both ceramic and plastic packages that uphold the renowned Japanese manufacturing quality and reliability. The low-noise FETs and amplifier ICs offer better RF performance than other pHEMTs. Target markets for the devices include Digital Broadcast Systems (DBS), Low Noise Block (LNB) downconverters, and Very Small Aperture Terminal Satellite (VSAT) communication systems. Other typical applications include microwave communication systems, motion detectors, traffic monitoring, collision avoidance, and presence detections.