Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

IXFN140N20P

Name: IXYS IXFN140N20P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN140N20P
Price: 28.91 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

747-IXFN140N20P

Số nhà sản xuất:

IXFN140N20P

Nsx:

IXYS

Mô tả:

MOSFET Modules 140 Amps 200V 0.018 Rds

Bảng dữ liệu:

IXFN140N20P Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về IXYS IXFN140N20P

Có hàng: 319

Tồn kho:: 319 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 26 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$28.91	$28.91
	$21.16	$211.60
	$18.03	$1,803.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	IXYS
Danh mục Sản phẩm:	Mô-đun MOSFET
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	Screw Mount
Đóng gói / Vỏ bọc:	SOT-227-4
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	200 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	115 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	18 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	5 V
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	680 W
Sê-ri:	IXFN140N20
Đóng gói:	Tube
Nhãn hiệu:	IXYS
Cấu hình:	Single
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	KR
Thời gian giảm:	90 ns
Chiều cao:	12.22 mm
Chiều dài:	38.23 mm
Loại sản phẩm:	MOSFET Modules
Thời gian tăng:	35 ns
Số lượng Kiện Gốc:	10
Danh mục phụ:	Discrete and Power Modules
Thương hiệu:	HiPerFET
Loại:	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	150 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	30 ns
Chiều rộng:	25.42 mm
Đơn vị Khối lượng:	30 g

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

IXFN140N20P Bảng dữ liệu

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (t_rr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest R_DS(on), low R_thJC, low Q_g, and enhanced dv/dt capability.