IXFX220N17T2

IXYS
747-IXFX220N17T2
IXFX220N17T2

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr MOSFET

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về IXYS IXFX220N17T2

Sẵn có

Tồn kho:
Không Lưu kho
Thời gian sản xuất của nhà máy:
25 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.
Tối thiểu: 300   Nhiều: 30
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Sản phẩm này được Vận chuyển MIỄN PHÍ

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$8.96 $2,688.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
IXYS
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
170 V
220 A
6.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
500 nC
- 55 C
+ 175 C
1.25 mW
Enhancement
HiPerFET
Tube
Nhãn hiệu: IXYS
Cấu hình: Single
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: PH
Thời gian giảm: 150 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu: 105 S
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 160 ns
Sê-ri: IXFX220N17
Số lượng Kiện Gốc: 30
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 40 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 44 ns
Đơn vị Khối lượng: 6 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541900000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8542900006
TARIC:
8541900000
MXHTS:
8541900299
ECCN:
EAR99

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

Gen2 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen2 Trench Gate Power MOSFETs are offered with drain-to-source voltage ratings from 40V to 170V and provide high current capabilities of up to 600A  (TC=@25°C). The combined high current ratings of these devices and available compact package options provide designers the ability to control more power within a smaller footprint. These IXYS devices promote device consolidation through the reduction or elimination of multiple paralleled lower current rated MOSFET devices in high power switching applications. The resultant effect is a reduction in part count, as well as the number of required drive components, thus improving upon over-all system simplicity, reliability, and cost.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.