Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

FP50R12N2T7PB11BPSA1

Name: Infineon FP50R12N2T7PB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FP50R12N2T7PB111
Price: 89.32 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

726-FP50R12N2T7PB111

Số nhà sản xuất:

FP50R12N2T7PB11BPSA1

Nsx:

Infineon Technologies

Mô tả:

IGBT Modules 1200 V, 50 A PIM IGBT module

Bảng dữ liệu:

FP50R12N2T7PB11BPSA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Infineon Technologies FP50R12N2T7PB11BPSA1

Có hàng: 10

Tồn kho:: 10 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 12 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$89.32	$89.32
	$72.13	$721.30
	$59.90	$5,990.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Infineon
Danh mục Sản phẩm:	Mô-đun IGBT
Sản phẩm:	IGBT Silicon Modules
Cấu hình:	3-Phase Inverter
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa:	1.2 kV
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát:	1.5 V
Dòng cực góp liên tục ở 25°C:	50 A
Dòng rò cực cổng-cực phát:	100 nA
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Đóng gói:	Tray
Nhãn hiệu:	Infineon Technologies
Điện áp cực cổng cực phát tối đa:	20 V
Kiểu gắn:	Through Hole
Loại sản phẩm:	IGBT Modules
Số lượng Kiện Gốc:	10
Danh mục phụ:	IGBTs
Công nghệ:	Si
Mã Bí danh:	FP50R12N2T7P_B11 SP005595806

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

FP50R12N2T7PB11BPSA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

1200V PIM IGBT Modules

Infineon 1200V PIM IGBT Modules offer TRENCHSTOP™ IGBT7 and EC7 diode technology based on the latest micro-pattern trenches technology. This technology strongly reduces losses and provides a high level of controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas compared to the formerly used square trench cells. The chip is specially optimized for industrial drive applications and solar energy systems, which means much lower static losses, higher power density, and softer switching. A significant increase in power density can be obtained by raising the allowed maximum operating temperature up to 175°C in the Infineon 1200V PIM IGBT Modules.