Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

IGLT65R035D2ATMA1

Name: Infineon IGLT65R035D2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGLT65R035D2ATMA
Price: 10.83 USD
Availability: OutOfStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

726-IGLT65R035D2ATMA

Số nhà sản xuất:

IGLT65R035D2ATMA1

Nsx:

Infineon Technologies

Mô tả:

GaN FETs HV GAN DISCRETES

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

IGLT65R035D2ATMA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Infineon Technologies IGLT65R035D2ATMA1

Sẵn có

Tồn kho:: 0

Bạn vẫn có thể mua sản phẩm này bằng đơn hàng dự trữ

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Đang đặt hàng:: 1,788

Dự kiến 02/07/2026
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 18

Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$10.83	$10.83
	$7.40	$74.00
	$5.64	$564.00
	$5.63	$2,815.00
	$5.01	$5,010.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 1800)
	$4.60	$8,280.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Infineon
Danh mục Sản phẩm:	FET GaN
RoHS:
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Cực tính transistor:	HEMT
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	650 V
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	42 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 10 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	1.6 V
Qg - Điện tích cực cổng:	11 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Chế độ kênh:	Enhancement
Nhãn hiệu:	Infineon Technologies
Cấu hình:	Single
Quốc gia Hội nghị:	MY
Quốc gia phân phối:	AT
Quốc gia xuất xứ:	AT
Công suất đầu ra:	152 W
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Sản phẩm:	Power Transistors
Loại sản phẩm:	GaN FETs
Số lượng Kiện Gốc:	1800
Danh mục phụ:	Transistors
Công nghệ:	GaN
Loại transistor:	1 N-Channel
Loại:	GaN Transistor

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

IGLT65R035D2ATMA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors feature highly efficient GaN (gallium nitride) transistor technology for power conversion in a voltage range up to 650V. Infineon’s GaN technology brings the e‑mode concept to maturity with high volumes of end-to-end production. This pioneering quality ensures the highest standards and offers the most reliable performance. The enhancement mode CoolGaN™ Gen 2 650V power transistors improve system efficiency and power density with ultra-fast switching.