IPD60R180CM8XTMA1

Infineon Technologies
726-IPD60R180CM8XTMA
IPD60R180CM8XTMA1

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs HIGH POWER_NEW

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 1,155

Tồn kho:
1,155
Có thể Giao hàng Ngay
Đang đặt hàng:
2,500
Dự kiến 11/06/2026
Thời gian sản xuất của nhà máy:
8
Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$2.56 $2.56
$1.53 $15.30
$1.08 $108.00
$0.897 $448.50
$0.825 $825.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 2500)
$0.765 $1,912.50

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Infineon
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
1 Channel
600 V
18 A
180 mOhms
- 20 V, 20 V
4.7 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
127 W
Enhancement
CoolMOS
Reel
Cut Tape
Nhãn hiệu: Infineon Technologies
Cấu hình: Single
Quốc gia Hội nghị: CN
Quốc gia phân phối: AT
Quốc gia xuất xứ: DE
Thời gian giảm: 12.8 ns
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 6 ns
Sê-ri: 600V CM8
Số lượng Kiện Gốc: 2500
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 88.4 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 17.2 ns
Mã Bí danh: IPD60R180CM8 SP005578057
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99