Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

IQE046N08LM5ATMA1

Name: Infineon IQE046N08LM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-E046N08LM5ATMA1
Price: 3.23 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

726-E046N08LM5ATMA1

Số nhà sản xuất:

IQE046N08LM5ATMA1

Nsx:

Infineon Technologies

Mô tả:

MOSFETs IFX FET > 60-80V

Bảng dữ liệu:

IQE046N08LM5ATMA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Infineon Technologies IQE046N08LM5ATMA1

Có hàng: 3,819

Tồn kho:: 3,819 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 17 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$3.23	$3.23
	$2.18	$21.80
	$1.53	$153.00
	$1.29	$645.00
	$1.24	$1,240.00
	$1.20	$3,000.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 5000)
	$1.17	$5,850.00
	$1.13	$11,300.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Infineon
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	TSON-8
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	80 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	99 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	4.6 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	2.3 V
Qg - Điện tích cực cổng:	38 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	100 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Nhãn hiệu:	Infineon Technologies
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	4.4 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu:	62 S
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Thời gian tăng:	2.6 ns
Sê-ri:	IQE046N08
Số lượng Kiện Gốc:	5000
Danh mục phụ:	Transistors
Loại transistor:	OptiMOS 5 Power Transistor
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	18 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	5.2 ns
Mã Bí danh:	IQE046N08LM5 SP005633158

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

IQE046N08LM5ATMA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 5 Power MOSFETs

Infineon OptiMOS™ 5 Power MOSFETs are designed to meet requirements for improved system efficiency while reducing system costs. These devices feature lower R_DS(on) and Figure of Merit (R_DS(on) x Q_g) compared to alternative devices. They are designed using silicon technology, optimized to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements. Typical applications for these MOSFETs include server, datacom, and client applications in the computing industry. They can also be used in synchronous rectification in switched-mode power supplies (SMPS) and motor control, solar microinverters, and fast switching DC/DC converter applications.