ISC034N08NM7ATMA1

Infineon Technologies
726-ISC034N08NM7ATMA
ISC034N08NM7ATMA1

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

Tuổi thọ:
Sản phẩm Mới:
Mới từ nhà sản xuất này.
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 183

Tồn kho:
183 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
3 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$2.55 $2.55
$1.63 $16.30
$1.11 $111.00
$0.925 $462.50
$0.857 $857.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 5000)
$0.801 $4,005.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Infineon
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
122 A
3.4 mOhms
20 V
3.2 V
34 nC
- 55 C
+ 175 C
115 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Nhãn hiệu: Infineon Technologies
Cấu hình: Single
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: AT
Thời gian giảm: 3.4 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu: 50 S
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 2.5 ns
Số lượng Kiện Gốc: 5000
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 13.8 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 8.6 ns
Mã Bí danh: ISC034N08NM7 SP006167256
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

N-Channel OptiMOS™ 7 80V Power MOSFETs

Infineon Technologies N-channel OptiMOS™ 7 80V Power MOSFETs are N-channel, normal level devices with superior thermal resistance. The OptiMOS 7 80V Power MOSFET series offers a soft-recovery body diode and is rated to 175°C. The Infineon OptiMOS 7 80V Power MOSFETs are available in a PG‑TDSON‑8 package and are optimized for motor drives and synchronous rectification applications.

N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs are high-performance N-channel transistors designed for demanding power conversion applications. These MOSFETs offer very low on-resistance, superior thermal resistance, and excellent Miller ratio for dv/dt ruggedness. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are optimized for both hard-switching and soft-switching topologies, and FOMoss. These MOSFETs are 100% avalanche tested and are RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are halogen-free according to IEC61249‑2‑21.