LSIC2SD065D08A

Littelfuse
576-LSIC2SD065D08A
LSIC2SD065D08A

Nsx:

Mô tả:
SiC Schottky Diodes 650V/8A SiC SBD?TO263-2LAEC-Q101

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về Littelfuse LSIC2SD065D08A

Sẵn có

Tồn kho:
Không Lưu kho
Thời gian sản xuất của nhà máy:
Tối thiểu: 800   Nhiều: 800
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Sản phẩm này được Vận chuyển MIỄN PHÍ

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$2.51 $2,008.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Littelfuse
Danh mục Sản phẩm: Đi-ốt SiC SCHOTTKY
RoHS:  
SMD/SMT
D2PAK-2 (TO-263-2)
Single
8 A
650 V
1.8 V
40 A
100 uA
- 55 C
+ 175 C
LSIC2SD
AEC-Q101
Nhãn hiệu: Littelfuse
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: KR
Loại sản phẩm: SiC Schottky Diodes
Số lượng Kiện Gốc: 800
Danh mục phụ: Diodes & Rectifiers
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

Product Catalogs

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

SiC MOSFETs

Littelfuse SiC MOSFETs are optimized for high-frequency, high-efficiency applications. These robust SiC MOSFETs offer low gate charges, low output capacitance, and low gate resistance for high-frequency switching. These devices also feature extremely low drain-source on-state resistance. The low gate charge and on-resistance of these MOSFETs translate into lower conduction and switching losses, respectively. Littelfuse offers in-house designed, developed, and manufactured SiC MOSFETs with extremely low gate charge and output capacitance, industry-leading performance, and ruggedness at all temperatures. Littelfuse SiC MOSFETs are available in a range of varieties, including 1200V in 80mΩ, 120mΩ, and 160mΩ versions.

LSIC2SD GEN2 SiC Schottky Diodes

Littelfuse LSIC2SD GEN2 Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes provide improved efficiency, reliability, and thermal management in various applications. The diodes have an operating junction temperature of +175°C maximum. The positive temperature coefficient of the diodes supports safe operation and ease of paralleling. Other features of the Littelfuse LSIC2SD GEN2 SiC Schottky Diodes include high-surge capability and negligible reverse recovery current. The switching behavior of the diodes is extremely fast and temperature-independent. Compared to Si bipolar diodes, these diodes provide dramatically reduced switching losses. LSIC2SD GEN2 SiC Schottky Diodes are ideal for EV charging stations, solar inverters, switch-mode power supplies, and more. These diodes are available in a variety of packages and voltage/current ratings, including 650V (6A to 40A) and 1200V (5A to 40A).

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.