APT10026L2FLLG

Microchip Technology
494-APT10026L2FLLG
APT10026L2FLLG

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs FREDFET MOS7 1000 V 26 Ohm TO-264 MAX

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Sẵn có

Tồn kho:
Không Lưu kho
Thời gian sản xuất của nhà máy:
26 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.
Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.
Tối thiểu: 25   Nhiều: 25
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$74.94 $1,873.50

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Microchip
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-264-3
N-Channel
1 Channel
1 kV
38 A
260 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
267 nC
- 55 C
+ 150 C
893 W
Enhancement
Tube
Nhãn hiệu: Microchip Technology
Cấu hình: Single
Thời gian giảm: 9 ns
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 8 ns
Số lượng Kiện Gốc: 1
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 39 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 17 ns
Đơn vị Khối lượng: 10 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

APT10026L2FLL Power MOS 7® FREDFET

Microsemi / Microchip APT10026L2FLL Power MOS 7® FREDFET is a low loss and high voltage N-channel enhancement mode power MOSFET. This power MOSFET provides 1000V VDSS, 38A ID, and 0.26Ω RDS(on). The Power MOS 7 lowers the RDS(ON) and Qg to control the conduction and switching losses. This MOSFET combines low conduction and switching losses with fast switching speeds inherent with metal gate structure. The APT10026L2FLL Power MOS 7 FREDFET is available in a TO-264 MAX package and is easy to drive. Other features include low input capacitance, lower miller capacitance, and increased power dissipation.