Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

MSC015SMA070B4N

Name: Microchip MSC015SMA070B4N
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC015SMA070B4N
Price: 21.24 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

579-MSC015SMA070B4N

Số nhà sản xuất:

MSC015SMA070B4N

Nsx:

Microchip Technology

Mô tả:

SiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4 Notch

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

MSC015SMA070B4N Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Microchip Technology MSC015SMA070B4N

Có hàng: 310

Tồn kho:: 310 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 25 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$21.24	$21.24
	$19.59	$587.70
	$17.05	$2,046.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Microchip
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET SiC
RoHS:
Kiểu gắn:	Through Hole
Đóng gói / Vỏ bọc:	TO-247-4
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	700 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	112 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	19 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	5 V
Qg - Điện tích cực cổng:	215 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	524 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Nhãn hiệu:	Microchip Technology
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	12 ns
Đóng gói:	Tube
Loại sản phẩm:	SiC MOSFETS
Thời gian tăng:	22 ns
Số lượng Kiện Gốc:	30
Danh mục phụ:	Transistors
Công nghệ:	SiC
Loại transistor:	1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	40 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	27 ns

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

MSC015SMA070B4N Bảng dữ liệu (PDF)

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) MOSFETs offer superior dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power MOSFETs. These MOSFETs have low capacitances, low gate charge, fast switching speed, and good avalanche ruggedness. The SiC MOSFETs can stabilize operation at 175°C high junction temperature. These MOSFETs provide high efficiency with low switching losses. The SiC MOSFETs do not require any freewheeling diodes. Typical applications include smart grid transmission and distribution, induction heating and welding, and power supply and distribution.