MSC050SDA120B

Microchip Technology
494-MSC050SDA120B
MSC050SDA120B

Nsx:

Mô tả:
SiC Schottky Diodes SIC SBD 1200 V 50 A TO-247
Xem trong Bộ chọn Công cụ phát triển

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về Microchip Technology MSC050SDA120B

Có hàng: 52

Tồn kho:
52
Có thể Giao hàng Ngay
Đang đặt hàng:
120
Dự kiến 13/04/2026
Thời gian sản xuất của nhà máy:
7
Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$16.92 $16.92
$15.60 $468.00
$13.58 $1,629.60

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Microchip
Danh mục Sản phẩm: Đi-ốt SiC SCHOTTKY
RoHS:  
Through Hole
TO-247-2
Single
50 A
1.2 kV
1.5 V
290 A
200 uA
- 55 C
+ 175 C
MSC0
Tube
Nhãn hiệu: Microchip Technology
Pd - Tiêu tán nguồn: 429 W
Loại sản phẩm: SiC Schottky Diodes
Số lượng Kiện Gốc: 30
Danh mục phụ: Diodes & Rectifiers
Vr - Điện áp ngược: 1.2 kV
Đơn vị Khối lượng: 12 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.

Silicon Carbide (SiC) Semiconductors

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Semiconductors are an innovative option for power electronic designers looking to improve system efficiency, smaller form factor, and higher operating temperature in products covering industrial, medical, military/aerospace, aviation, and communication market segments. Microchip's next-generation SiC MOSFETs and SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) are designed with high repetitive Unclamped Inductive Switching (UIS) capability, and its SiC MOSFETs maintain high UIS capability at approximately 10J/cm2 to 15J/cm2 and robust short-circuit protection at 3ms to 5ms. The Microchip Technology SiC SBDs are designed with balanced surge current, forward voltage, thermal resistance, and thermal capacitance ratings at low reverse currents for lower switching loss. In addition, SiC MOSFET and SiC SBD can be paired together for use in modules.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.