MSCSM120AM042CD3AG

Microchip Technology
494-120AM042CD3AG
MSCSM120AM042CD3AG

Nsx:

Mô tả:
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-D3

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 6

Tồn kho:
6 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
20 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$631.62 $631.62
25 Báo giá

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Microchip
Danh mục Sản phẩm: Mô-đun bán dẫn rời rạc
RoHS:  
MOSFET-SiC SBD Modules
MOSFET / SiC SBD
SiC
1.5 V
1.2 kV
- 10 V, + 25 V
Screw Mount
D3
- 40 C
+ 125 C
Bulk
Nhãn hiệu: Microchip Technology
Thời gian giảm: 67 ns
Id - Dòng cực máng liên tục: 495 A
Pd - Tiêu tán nguồn: 2.031 kW
Loại sản phẩm: Discrete Semiconductor Modules
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn: 5.2 mOhms
Thời gian tăng: 55 ns
Số lượng Kiện Gốc: 1
Danh mục phụ: Discrete Semiconductor Modules
Cực tính transistor: N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 166 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 56 ns
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn: 1.2 kV
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn: 1.8 V
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99