Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

PSMN2R0-30BL,118

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

771-PSMN2R0-30BL,118

Số nhà sản xuất:

PSMN2R0-30BL,118

Nsx:

Nexperia

Mô tả:

MOSFETs Std N-chanMOSFET

Tuổi thọ:

Hết hạn sử dụng:

Nhà sản xuất đã lên kế hoạch ngừng và sẽ không sản xuất nữa.

Bảng dữ liệu:

PSMN2R0-30BL,118 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Cảnh báo Vận chuyển:

Mouser hiện không bán sản phẩm này tại khu vực của bạn.

Sẵn có

Tồn kho:: Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Nexperia
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
Hạn chế Vận chuyển	Mouser hiện không bán sản phẩm này tại khu vực của bạn.
RoHS:
REACH - SVHC:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	30 V
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Đóng gói:	MouseReel
Nhãn hiệu:	Nexperia
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Số lượng Kiện Gốc:	800
Danh mục phụ:	Transistors
Mã Bí danh:	934066341118
Đơn vị Khối lượng:	4 g

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

                        
The factory is currently not accepting orders for this product.

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

PSMN2R0-30BL,118 Bảng dữ liệu (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Nexperia PSMNxxx N-Channel MOSFETs - EXPANSION - INACTIVE

Nexperia PSMNxxx N-Channel MOSFETs have been expanded by adding additional drain current (I_D), drain-source on-state resistance (R_DS(on)), gate-drain charge (Q_GD), and total power dissipation (P_tot) ratings. All of these packages are qualified with a junction temperature up to 175ºC. They are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment. They are highly efficient due to low switching and conduction losses and are suitable for standard level gate drive sources. Some of these are optimized for 4.5V gate drive utilizing NextPower Superjunction technology and have ultra-low Q_G, Q_GD and Q_OSS for high system efficiencies at low and high loads. Typical applications for these devices include dc-to-dc converters, load switching, motor control, synchronous buck regulators, and server power supplies.
Learn More

Nexperia PSMNxxx N-Channel MOSFETs include standard and logic level, regular and enhancement mode, N-Channel MOSFETs in LFPAK, I2PAK, TO-220, and DFN3333-8 packages qualified to 150°C or 175°C. These Nexperia PSMNxxx N-Channel MOSFETs are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment. The Nexperia logic level enhancement mode N-Channel MOSFETs in LFPAK packages feature ultra low Q_G, Q_GD, and Q_OSS for high system efficiencies at low and high loads, and ultra low R_DSon and low parasitic inductance. They are also optimized for 4.5V gate drive utilising NextPower Superjunction technology. The Nexperia standard and logic level N-Channel MOSFETs in I2PAK and TO-220 packages feature high efficiency due to low switching and conduction losses and are suitable for standard or logic level gate drive sources.

View the entire PSMNxxx Series N-Channel MOSFETs