Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

SCT027HU65G3AG

Name: STMicroelectronics SCT027HU65G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT027HU65G3AG
Price: 13.51 USD
Availability: OutOfStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

511-SCT027HU65G3AG

Số nhà sản xuất:

SCT027HU65G3AG

Nsx:

STMicroelectronics

Mô tả:

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

Hoàn tất Thiết kế của bạn

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

SCT027HU65G3AG Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về STMicroelectronics SCT027HU65G3AG

Sẵn có

Tồn kho:: 0

Bạn vẫn có thể mua sản phẩm này bằng đơn hàng dự trữ

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Đang đặt hàng:: 400

Dự kiến 21/12/2026
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 18

Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$13.51	$13.51
	$10.08	$100.80
	$8.72	$872.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 600)
	$8.26	$4,956.00
	$7.01	$8,412.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET SiC
RoHS:
Nhãn hiệu:	STMicroelectronics
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Loại sản phẩm:	SiC MOSFETS
Số lượng Kiện Gốc:	600
Danh mục phụ:	Transistors

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

SCT027HU65G3AG Bảng dữ liệu (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-11-26 (PDF)

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance R_DS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.