Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

SCT070W120G3-4AG

Name: STMicroelectronics SCT070W120G3-4AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT070W120G3-4AG
Price: 12.57 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

511-SCT070W120G3-4AG

Số nhà sản xuất:

SCT070W120G3-4AG

Nsx:

STMicroelectronics

Mô tả:

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Hoàn tất Thiết kế của bạn

Bảng dữ liệu:

SCT070W120G3-4AG Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về STMicroelectronics SCT070W120G3-4AG

Có hàng: 483

Tồn kho:: 483

Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Đang đặt hàng:: 1,200

Dự kiến 20/04/2026
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 17

Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$12.57	$12.57
	$8.82	$88.20
	$7.99	$799.00
	$7.53	$4,518.00
	$6.25	$7,500.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET SiC
RoHS:
Kiểu gắn:	Through Hole
Đóng gói / Vỏ bọc:	HiP-247-4
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	1.2 kV
Id - Dòng cực máng liên tục:	30 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	87 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	4.2 V
Qg - Điện tích cực cổng:	41 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 200 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	236 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Tiêu chuẩn:	AEC-Q101
Nhãn hiệu:	STMicroelectronics
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	17 ns
Đóng gói:	Tube
Loại sản phẩm:	SiC MOSFETS
Thời gian tăng:	4.8 ns
Số lượng Kiện Gốc:	600
Danh mục phụ:	Transistors
Công nghệ:	SiC
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	23 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	9.5 ns

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

SCT070W120G3-4AG Bảng dữ liệu (PDF)

PCN

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SCTW70N120G2V 1200V 91A SiC Power MOSFETs

STMicroelectronics SCTW70N120G2V 1200V 91A SiC (Silicon Carbide) Power MOSFET features minimal ON-resistance and excellent switching performance, almost independent of temperature, due to the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. The SCTW70N120G2V also offers a high-speed, robust intrinsic body diode and extremely low gate charge and input capacities. A high-temperature rating of +200°C enables the improved thermal design of power electronics systems.

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance R_DS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.