Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

STB18N60M6

Name: STMicroelectronics STB18N60M6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB18N60M6
Price: 3.05 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

511-STB18N60M6

Số nhà sản xuất:

STB18N60M6

Nsx:

STMicroelectronics

Mô tả:

MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

Hoàn tất Thiết kế của bạn

Bảng dữ liệu:

STB18N60M6 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về STMicroelectronics STB18N60M6

Có hàng: 883

Tồn kho:: 883 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 14 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Đóng gói:

Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 1000)

ĐOẠN NGẮN

MouseReel™ (+$7.00)

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	$3.05	$3.05
	$1.88	$18.80
	$1.43	$143.00
	$1.20	$600.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 1000)
	$1.10	$1,100.00

† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	600 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	13 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	280 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	3.25 V
Qg - Điện tích cực cổng:	16.8 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	110 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Thương hiệu:	MDmesh
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Đóng gói:	MouseReel
Nhãn hiệu:	STMicroelectronics
Cấu hình:	Single
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	CN
Thời gian giảm:	9 ns
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Thời gian tăng:	7 ns
Sê-ri:	Mdmesh M6
Số lượng Kiện Gốc:	1000
Danh mục phụ:	Transistors
Loại transistor:	1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	28 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	16 ns
Đơn vị Khối lượng:	1.380 g

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

STB18N60M6 Bảng dữ liệu (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

MOSFET M6 MDmesh™

MOSFET M6 MDmesh™ của STMicroelectronics kết hợp mức điện tích cổng (Q_g) thấp với biên dạng điện dung tối ưu để đạt hiệu suất cao cho các cấu trúc liên kết mới trong các ứng dụng chuyển đổi năng lượng. Sê-ri M6 MDmesh siêu chuyển tiếp có hiệu suất cực cao, làm tăng mật độ công suất và mức điện tích cổng thấp cho hoạt động ở tần số cao. MOSFET Sê-ri M6 có khoảng điện áp phóng điện từ 600 đến 700V. Sản phẩm này có nhiều tùy chọn đóng gói, bao gồm giải pháp đóng gói TO-Leadless (TO-LL), cho phép kiểm soát nhiệt độ hiệu quả. Thiết bị này có khoảng điện áp hoạt động rộng cho các ứng dụng công nghiệp, bao gồm bộ sạc, bộ điều hợp, mô-đun hộp bạc, đèn LED, viễn thông, máy chủ và năng lượng mặt trời.