STGH30H65DFB-2AG

STMicroelectronics
511-STGH30H65DFB-2AG
STGH30H65DFB-2AG

Nsx:

Mô tả:
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 461

Tồn kho:
461 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
15 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 1000)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™
$3.94 $3.94
$2.59 $25.90
$1.87 $187.00
$1.66 $830.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 1000)
$1.43 $1,430.00
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™.

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm: IGBT
RoHS:  
Si
H2PAK-2
SMD/SMT
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
60 A
260 W
- 55 C
+ 175 C
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Nhãn hiệu: STMicroelectronics
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: CN
Loại sản phẩm: IGBT Transistors
Số lượng Kiện Gốc: 1000
Danh mục phụ: IGBTs
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors

STMicroelectronics HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine a very low saturation voltage (down to 1.6V) with a minimal collector current turn-off tail and a maximum operating temperature of 175°C. This enhances the efficiency of high-frequency applications (up to 100kHz) and leverages the advanced proprietary Trench Gate Field-Stop (TGFS) structure.