STGP10H60DF

STMicroelectronics
511-STGP10H60DF
STGP10H60DF

Nsx:

Mô tả:
IGBTs Trench gate H series 600V 10A HiSpd

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 1,971

Tồn kho:
1,971 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
15 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$2.18 $2.18
$0.912 $9.12
$0.843 $84.30
$0.741 $370.50
$0.698 $698.00
$0.642 $1,284.00
$0.592 $2,960.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm: IGBT
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
600 V
1.5 V
- 20 V, 20 V
20 A
115 W
- 55 C
+ 175 C
STGP10H60DF
Tube
Nhãn hiệu: STMicroelectronics
IC dòng cực góp liên tục tối đa: 10 A
Dòng rò cực cổng-cực phát: 250 nA
Loại sản phẩm: IGBT Transistors
Số lượng Kiện Gốc: 1000
Danh mục phụ: IGBTs
Đơn vị Khối lượng: 6 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99