STGP15M65DF2

STMicroelectronics
511-STGP15M65DF2
STGP15M65DF2

Nsx:

Mô tả:
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V, 15 A low loss

Tuổi thọ:
Hết hạn sử dụng:
Nhà sản xuất đã lên kế hoạch ngừng và sẽ không sản xuất nữa.
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 12

Tồn kho:
12 Có thể Giao hàng Ngay
Số lượng lớn hơn 12 sẽ phải tuân thủ các yêu cầu đặt hàng tối thiểu.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$2.33 $2.33
$1.49 $14.90
$1.02 $102.00
$0.906 $453.00
$0.769 $769.00
$0.755 $3,775.00
$0.752 $7,520.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm: IGBT
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
30 A
136 W
- 55 C
+ 175 C
STGP15M65DF2
Nhãn hiệu: STMicroelectronics
IC dòng cực góp liên tục tối đa: 30 A
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: CN
Dòng rò cực cổng-cực phát: 250 uA
Loại sản phẩm: IGBT Transistors
Số lượng Kiện Gốc: 1000
Danh mục phụ: IGBTs
Đơn vị Khối lượng: 2 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99