Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

STGW35HF60WDI

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

511-STGW35HF60WDI

Số nhà sản xuất:

STGW35HF60WDI

Nsx:

STMicroelectronics

Tuổi thọ:

Cũ

Bảng dữ liệu:

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Cảnh báo Vận chuyển:

Mouser hiện không bán sản phẩm này tại khu vực của bạn.

Nsx:

STMicroelectronics

Số nhà sản xuất:

STGWA20H65DFB2

Mô tả:

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l

So sánh với Phần Hiện tại

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm:	IGBT
Hạn chế Vận chuyển	Mouser hiện không bán sản phẩm này tại khu vực của bạn.
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	Through Hole
Cấu hình:	Single
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa:	600 V
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát:	1.9 V
Điện áp cực cổng cực phát tối đa:	- 20 V, 20 V
Dòng cực góp liên tục ở 25°C:	60 A
Pd - Tiêu tán nguồn:	200 W
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Sê-ri:	STGW35HF60WDI
Đóng gói:	Tube
Nhãn hiệu:	STMicroelectronics
Loại sản phẩm:	IGBT Transistors
Số lượng Kiện Gốc:	600
Danh mục phụ:	IGBTs
Đơn vị Khối lượng:	4.430 g