STGWA40H65DFB

STMicroelectronics
511-STGWA40H65DFB
STGWA40H65DFB

Nsx:

Mô tả:
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 437

Tồn kho:
437 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
14 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$3.81 $3.81
$2.45 $24.50
$1.68 $168.00
$1.29 $774.00
$1.23 $1,476.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
80 A
283 W
- 55 C
+ 175 C
STGWA40H65DFB
Tube
Nhãn hiệu: STMicroelectronics
IC dòng cực góp liên tục tối đa: 80 A
Dòng rò cực cổng-cực phát: +/- 250 nA
Loại sản phẩm: IGBT Transistors
Số lượng Kiện Gốc: 600
Danh mục phụ: IGBTs
Đơn vị Khối lượng: 6 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99