STGWT20V60DF

STMicroelectronics
511-STGWT20V60DF
STGWT20V60DF

Nsx:

Mô tả:
IGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT

Tuổi thọ:
Hết hạn sử dụng:
Nhà sản xuất đã lên kế hoạch ngừng và sẽ không sản xuất nữa.
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 600

Tồn kho:
600 Có thể Giao hàng Ngay
Số lượng lớn hơn 600 sẽ phải tuân thủ các yêu cầu đặt hàng tối thiểu.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$3.11 $3.11
$2.13 $21.30
$1.73 $173.00
$1.49 $894.00
$1.36 $1,632.00

Sản phẩm Tương tự

STMicroelectronics STGWA20H65DFB2
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm: IGBT
RoHS:  
Si
TO-3P
Through Hole
Single
600 V
2.3 V
- 20 V, 20 V
40 A
167 W
- 55 C
+ 175 C
STGWT20V60DF
Tube
Nhãn hiệu: STMicroelectronics
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: KR
Dòng rò cực cổng-cực phát: 250 nA
Loại sản phẩm: IGBT Transistors
Số lượng Kiện Gốc: 300
Danh mục phụ: IGBTs
Đơn vị Khối lượng: 6.756 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99