Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

STGYA75H120DF2

Name: STMicroelectronics STGYA75H120DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGYA75H120DF2
Price: 8.56 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

511-STGYA75H120DF2

Số nhà sản xuất:

STGYA75H120DF2

Nsx:

STMicroelectronics

Bảng dữ liệu:

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tồn kho:: 263 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 14 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm:	IGBT
RoHS:
Công nghệ:	Si
Đóng gói / Vỏ bọc:	MAX257-3
Kiểu gắn:	Through Hole
Cấu hình:	Single
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa:	1.2 kV
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát:	2.1 V
Điện áp cực cổng cực phát tối đa:	- 20 V, 20 V
Dòng cực góp liên tục ở 25°C:	150 A
Pd - Tiêu tán nguồn:	750 W
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Đóng gói:	Tube
Nhãn hiệu:	STMicroelectronics
IC dòng cực góp liên tục tối đa:	75 A
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	CN
Dòng rò cực cổng-cực phát:	250 nA
Loại sản phẩm:	IGBT Transistors
Số lượng Kiện Gốc:	30
Danh mục phụ:	IGBTs
Đơn vị Khối lượng:	4.430 g