STL33N60DM2

STMicroelectronics
511-STL33N60DM2
STL33N60DM2

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 2,200

Tồn kho:
2,200 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
16 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Số lượng lớn hơn 2200 sẽ phải tuân thủ các yêu cầu đặt hàng tối thiểu.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™
$5.12 $5.12
$3.68 $36.80
$2.64 $264.00
$2.56 $1,280.00
$2.31 $2,310.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
$2.09 $6,270.00
6,000 Báo giá
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™.

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-5
N-Channel
1 Channel
600 V
21 A
115 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
43 nC
- 55 C
+ 150 C
150 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
Nhãn hiệu: STMicroelectronics
Cấu hình: Single
Thời gian giảm: 9 ns
Nhạy với độ ẩm: Yes
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 8 ns
Sê-ri: STL33N60DM2
Số lượng Kiện Gốc: 3000
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 62 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 17 ns
Đơn vị Khối lượng: 180 mg
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Qrr, trr) and shows 20% lower RDS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.