Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

STP45N60DM6

Name: STMicroelectronics STP45N60DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP45N60DM6
Price: 7 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

511-STP45N60DM6

Số nhà sản xuất:

STP45N60DM6

Nsx:

STMicroelectronics

Mô tả:

MOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag

Hoàn tất Thiết kế của bạn

Bảng dữ liệu:

STP45N60DM6 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về STMicroelectronics STP45N60DM6

Có hàng: 1,008

Tồn kho:: 1,008 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 14 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$7.00	$7.00
	$5.17	$51.70
	$4.18	$418.00
	$3.72	$1,860.00
	$3.01	$3,010.00
	$2.87	$5,740.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	Through Hole
Đóng gói / Vỏ bọc:	TO-220-3
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	600 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	30 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	99 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	3.25 V
Qg - Điện tích cực cổng:	44 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	210 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Thương hiệu:	MDmesh
Đóng gói:	Tube
Nhãn hiệu:	STMicroelectronics
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	7.3 ns
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Thời gian tăng:	5.3 ns
Sê-ri:	STP45N60DM6
Số lượng Kiện Gốc:	1000
Danh mục phụ:	Transistors
Loại transistor:	1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	50 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	15 ns
Đơn vị Khối lượng:	2 g

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

STP45N60DM6 Bảng dữ liệu (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diodes. These automotive-grade N-channel power MOSFETs offer very low recovery charge (Q_rr) and recovery time (t_rr), combined with low R_DS(on). The DM6 power MOSFETs feature low gate charge, low input capacitance, low on-resistance, high dv/dt ruggedness, and Zener-protection. These power MOSFETs are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.