STPSC406B-TR

STMicroelectronics
511-STPSC406B-TR
STPSC406B-TR

Nsx:

Mô tả:
SiC Schottky Diodes 600 V Power Schottky Diode

Tuổi thọ:
NRND:
Không khuyến khích cho thiết kế mới.
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 680

Tồn kho:
680 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
19 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 2500)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™
$2.51 $2.51
$1.60 $16.00
$1.11 $111.00
$0.886 $443.00
$0.862 $862.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 2500)
$0.739 $1,847.50
$0.716 $3,580.00
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™.

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm: Đi-ốt SiC SCHOTTKY
RoHS:  
SMD/SMT
DPAK
Single
4 A
600 V
1.9 V
14 A
50 uA
- 40 C
+ 175 C
STPSC
Reel
Cut Tape
MouseReel
Nhãn hiệu: STMicroelectronics
Loại sản phẩm: SiC Schottky Diodes
Số lượng Kiện Gốc: 2500
Danh mục phụ: Diodes & Rectifiers
Đơn vị Khối lượng: 1.700 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
8541100901
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8542399000
MXHTS:
85423999
ECCN:
EAR99

600V Power Schottky Silicon Carbide Diode

STMicroelectronics' 600V Power Schottky Silicon Carbide Diodes are ultra high performance power Schottky diodes. They are manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material of these allows the design of a Schottky diode structured with a 600V rating. Due to the Schottky construction of these diodes no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. These Power Schottky Silicon Carbide Diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.

STPSC Schottky Silicon-Carbide Diodes

STMicroelectronics Schottky Silicon-Carbide Diodes take advantage of SiC's superior physical characteristics over standard silicon, with four times better dynamic characteristics and 15% less forward voltage (VF). The low reverse recovery characteristics make ST's silicon-carbide diodes a key contributor to energy savings in SMPS applications and in emerging domains such as solar energy conversion, EV or HEV charging stations. They are also ideal for other applications such as welding equipment and air conditioners. STMicroelectronics SiC product portfolio includes a 20A, 600V diode, housed in a halogen-free TO-247 package, to extend its 4A to 12A, through-hole, and SMD package offer. The second generation, with a 6A, 1200V device, and a 650V series are also available.