CSD23202W10T

Texas Instruments
595-CSD23202W10T
CSD23202W10T

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs 12V PCH NexFET A 595 -CSD23202W10 A 595- A 595-CSD23202W10

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 1,984

Tồn kho:
1,984 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
6 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 250)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™
$1.55 $1.55
$0.989 $9.89
$0.465 $46.50
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 250)
$0.465 $116.25
$0.419 $209.50
$0.377 $377.00
$0.376 $940.00
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™.

Bao bì thay thế

Nsx Mã Phụ tùng:
Đóng gói:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Sẵn có:
Có hàng
Giá:
$0.62
Tối thiểu:
1

Sản phẩm Tương tự

Texas Instruments CSD23202W10
Texas Instruments
MOSFETs 12V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD23202W10T

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Texas Instruments
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DSBGA-4
P-Channel
1 Channel
12 V
2.2 A
92 mOhms
- 6 V, 6 V
600 mV
2.9 nC
- 55 C
+ 150 C
1 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Nhãn hiệu: Texas Instruments
Cấu hình: Single
Thời gian giảm: 21 ns
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 4 ns
Sê-ri: CSD23202W10
Số lượng Kiện Gốc: 250
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 1 P-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 58 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 9 ns
Đơn vị Khối lượng: 1 mg
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

NexFET P-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET P-Channel Power MOSFETs are designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in a small outline with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. These Texas Instruments NexFET MOSFETs feature ultra-low on-resistance, ultra-low Qg and Qgd, and a small footprint of 1.0mm x 1.5mm.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.