Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

CSD25211W1015

Name: Texas Instruments CSD25211W1015
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25211W1015
Price: 0.87 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

595-CSD25211W1015

Số nhà sản xuất:

CSD25211W1015

Nsx:

Texas Instruments

Mô tả:

MOSFETs PCh NexFET Power MOS FET

Bảng dữ liệu:

CSD25211W1015 Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Texas Instruments CSD25211W1015

Có hàng: 3,633

Tồn kho:: 3,633 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 6 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Đóng gói:

Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)

ĐOẠN NGẮN

MouseReel™ (+$7.00)

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	$0.87	$0.87
	$0.535	$5.35
	$0.35	$35.00
	$0.293	$146.50
	$0.264	$264.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
	$0.219	$657.00
	$0.184	$1,104.00
	$0.164	$1,476.00
	$0.158	$3,792.00

† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Texas Instruments
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	DSBGA-6
Cực tính transistor:	P-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	20 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	3.2 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	44 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 6 V, 6 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	800 mV
Qg - Điện tích cực cổng:	3.4 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	1 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Thương hiệu:	NexFET
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Đóng gói:	MouseReel
Nhãn hiệu:	Texas Instruments
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	14.2 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu:	12 S
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Thời gian tăng:	8.8 ns
Sê-ri:	CSD25211W1015
Số lượng Kiện Gốc:	3000
Danh mục phụ:	Transistors
Loại transistor:	1 P-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	36.9 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	13.6 ns
Đơn vị Khối lượng:	1.700 mg

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

CSD25211W1015 Bảng dữ liệu

Images

PCN

SPICE Models

CSD25211W1015 PSPICE Model

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

NexFET P-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET P-Channel Power MOSFETs are designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in a small outline with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. These Texas Instruments NexFET MOSFETs feature ultra-low on-resistance, ultra-low Q_g and Q_gd, and a small footprint of 1.0mm x 1.5mm.