CSD25310Q2

Texas Instruments
595-CSD25310Q2
CSD25310Q2

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs 20-V P-CH NexFET Pwr MOSFET

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 13,930

Tồn kho:
13,930 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
6 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™
$0.56 $0.56
$0.353 $3.53
$0.237 $23.70
$0.194 $97.00
$0.173 $173.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
$0.147 $441.00
$0.135 $810.00
$0.117 $1,053.00
$0.112 $2,688.00
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™.

Bao bì thay thế

Nsx Mã Phụ tùng:
Đóng gói:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Sẵn có:
Có hàng
Giá:
$0.55
Tối thiểu:
1

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Texas Instruments
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
WSON-6
P-Channel
1 Channel
20 V
20 A
23.9 mOhms
- 8 V, 8 V
550 mV
3.6 nC
- 55 C
+ 150 C
2.9 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Nhãn hiệu: Texas Instruments
Cấu hình: Single
Thời gian giảm: 5 ns
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 15 ns
Sê-ri: CSD25310Q2
Số lượng Kiện Gốc: 3000
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 1 P-Channel Power MOSFET
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 15 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 8 ns
Đơn vị Khối lượng: 6 mg
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NexFET P-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET P-Channel Power MOSFETs are designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in a small outline with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. These Texas Instruments NexFET MOSFETs feature ultra-low on-resistance, ultra-low Qg and Qgd, and a small footprint of 1.0mm x 1.5mm.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

CSD25310Q2 20V P-Channel NexFET Power MOSFET

Texas Instruments CSD25310Q2 20V P-Channel NexFET Power MOSFET is a 19.9mΩ, –20V P-Channel MOSFET that is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge. This is done in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. The CSD25310Q2's low on-resistance coupled with an extremely small footprint in a SON 2mm×2mm plastic package makes the device ideal for battery-operated space-constrained operations.