CSD87381PT

Texas Instruments
595-CSD87381PT
CSD87381PT

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs Sync Buck NexFET Pwr Block II A 595-CSD8 A 595-CSD87381P

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Sẵn có

Tồn kho:
0

Bạn vẫn có thể mua sản phẩm này bằng đơn hàng dự trữ

Đang đặt hàng:
2,750
Dự kiến 19/03/2026
3,750
Dự kiến 16/04/2026
Thời gian sản xuất của nhà máy:
12
Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 250)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™
$1.02 $1.02
$0.666 $6.66
$0.533 $53.30
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 250)
$0.533 $133.25
$0.506 $253.00
$0.492 $492.00
$0.485 $1,212.50
$0.468 $2,340.00
$0.461 $4,610.00
$0.46 $11,500.00
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™.

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Texas Instruments
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PTAB-5
N-Channel
2 Channel
30 V
15 A
15.7 mOhms, 7 mOhms
- 8 V, 8 V
1.9 V, 1.7 V
3.9 nC, 8.9 nC
- 55 C
+ 150 C
4 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Nhãn hiệu: Texas Instruments
Cấu hình: Dual
Thời gian giảm: 3 ns, 2.9 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu: 40 S, 89 S
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 19.3 ns, 16.3 ns
Sê-ri: CSD87381P
Số lượng Kiện Gốc: 250
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 2 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 10.6 ns, 16.8 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 6.7 ns, 7.9 ns
Đơn vị Khối lượng: 33.200 mg
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8542390990
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

NexFET Power Block ICs

Texas Instruments NexFET Power Block ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the devices. This delivers higher efficiency in a typical high current POL design. These devices use half the PCB area versus other discrete 3x3 QFN package MOSFETs, which improves power density. With ultra-low Qg & Qgd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitor's devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a size reduction, by up to 1/2, for the output filter (caps & inductor). Texas Instruments NexFET Power Block ICs come with a unique ground pad lead frame and pinout, which simplifies the customer's layout and improves operating and thermal performance.